2月26日消息,中国厂商向三星授权存储关键技术专利,这一幕真是让人感叹。
之前韩国媒体报道称,三星电子近日与中国存储芯片厂商长江存储签署了专利许可协议,将从后者获得3D NAND“混合键合”专利,该专利是一种将晶圆和晶圆直接键合的尖端封装技术。
这引发了外界的热议,而为什么在存储上遥遥领先的三星,要获得长江的授权呢?
有行业人士表示,由于工艺流程问题,三星难以规避中国企业的专利,获取授权是必然,未来的竞争可能会非常激烈。
三星此次获取长江存储专利授权,将主要用于下一代(V10)闪存芯片开发上,这代芯片计划于今年下半年量产,堆叠层数将达到420层-430层。
为了让V10芯片尽快量产,三星引入了多项新技术,晶圆和晶圆之间的混合键合“至关重要”。
三星之所以这么看重这项技术,是因为“混合键合”技术省去了传统芯片连接所需的凸块,缩短了电路,并提高了存储性能和散热特性,“特别是晶圆之间的混合键合,它键合的是整个晶圆而不是芯片,在提高生产效率方面也具有优势”。
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